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Resultados para:

Número de resultados: 105

UNE-EN 61643-321:2003  UNE

Estado: Vigente / 2003-02-28

Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de baja tensión. Parte 321: Especificación para diodos de avalancha (ABD).

CTN 201/SC 37AB PARARRAYOS. COORDINACÓN DE AISLAMIENTO EN BAJA TENSIÓN

UNE-EN 61643-341:2003  UNE

Estado: Vigente / 2003-02-28

Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de baja tensión. Parte 341: Especificaciones para pararrayos con tiristores.

CTN 201/SC 37AB PARARRAYOS. COORDINACÓN DE AISLAMIENTO EN BAJA TENSIÓN

UNE-EN 150001:1991  UNE

Estado: Vigente / 1996-11-01

Especificación marco de detalle: Diodos semiconductores para usos generales. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 150006:1991  UNE

Estado: Vigente / 1996-11-01

Especificación marco de detalle: Diodos de capacidad variable. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 150013:1991  UNE

Estado: Vigente / 1996-11-01

Especificación marco de detalle: Reguladores de intensidad y diodos de referencia de intensidad. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 150008:1992  UNE

Estado: Vigente / 1996-09-01

Especificación marco particular: Características nominales ambientales de los diodos rectificadores. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 150009:1992  UNE

Estado: Vigente / 1996-09-01

Especificación marco particular: Características nominales del encapsulado de los diodos rectificadores. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 120008:1993  UNE

Estado: Vigente / 1996-09-01

Especificación marco particular: Diodos emisores de luz y de infrarrojos para sistemas o subsistemas de fibra óptica. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 150015:1992  UNE

Estado: Vigente / 1996-09-01

Especificación marco particular: Diodos de eliminación de sobretensión unidireccional transitoria. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 120001:1992  UNE

Estado: Vigente / 1996-09-01

ESPECIFICACIÓN MARCO PARTICULAR: DIODOS EMISORES DE LUZ (LED), MATRICES DE LEDS, PANTALLAS DE MATRICES DE LEDS SIN LÓGICA INTERNA NI RESISTENCIA. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 120002:1992  UNE

Estado: Vigente / 1996-09-01

ESPECIFICACIÓN MARCO PARTICULAR: DIODOS EMISORES DE INFRARROJOS, MATRIces DE DIODOS EMISORES DE INFRARROJOS. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 120005:1992  UNE

Estado: Vigente / 1996-09-01

Especificación marco particular: Fotodiodos, matrices de fotodiodos (para aplicaciones distintas a fibra óptica). (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 120006:1992  UNE

Estado: Vigente / 1996-09-01

Especificación marco particular: Fotodiodos PIN para aplicaciones de fibra óptica. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

DIN IEC 60747-2:2001-02  DIN

Estado: Active / 2011-02

Semiconductor devices - Discrete devices and integrated circuits - Part 2: Rectifier diodes (IEC 60747-2:2000)

DIN 4000-18:1988-12  DIN

Estado: Active / 1988-12

Tabular layouts of article characteristics for semiconductor diodes

BS IEC 60747-4:2007+A1:2017  BSI

Estado: Definitive / 2020-05-26

Semiconductor devices. Discrete devices. Microwave diodes and transistors

BS EN 62612:2013+A2:2018  BSI

Estado: Definitive / 2019-04-16

Self-ballasted LED lamps for general lighting services with supply voltages > 50 V. Performance requirements

18/30336115 DC  BSI

Estado: Definitive / 2018-10-23

BS EN 61643-341 Ed 2.0. Components for low-voltage surge protection. Part 341. Performance requirements and test circuits for thyristor surge suppressors (TSS)

BS EN 60747-2:2016  BSI

Estado: Definitive / 2018-02-06

Semiconductor devices. Discrete devices. Rectifier diodes

BS IEC 60747-3:2013  BSI

Estado: Definitive / 2015-04-30

Semiconductor devices. Discrete devices: Signal, switching and regulator diodes

14/30309496 DC  BSI

Estado: Definitive / 2014-07-01

BS EN 62612 AMD1. Self-ballasted LED lamps for general lighting services with supply voltages = 50V. Performance requirements

BS QC 750109:1993, IEC 60747-2-2:1993  BSI

Estado: Definitive / 1994-02-15

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification. Rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100 A

BS CECC 50009:1982  BSI

Estado: Definitive / 1982-08-15

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification: case-rated rectifier diodes

BS CECC 50008:1982  BSI

Estado: Definitive / 1982-04-15

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification: ambient-rated rectifier diodes

BS EN IEC 61643-341:2020  BSI

Estado: Definitive / 2020-07-10

Components for low-voltage surge protection. Performance requirements and test circuits for thyristor surge suppressors (TSS)

19/30401940 DC  BSI

Estado: Definitive / 2019-08-30

BS EN IEC 61643-321. Components for low-voltage surge protection. Part 321. Performance requirements and test circuits for silicon PN-junction voltage limiters

18/30383125 DC  BSI

Estado: Definitive / 2018-11-02

BS EN 61643-321. Components for low-voltage surge protective devices. Part 321. Performance requirements and test circuits for silicon PN-junction voltage limiters

BS EN 61643-321:2002  BSI

Estado: Revision Underway / 2002-03-21

Low voltage surge protective devices. Specifications for avalanche breakdown diode (ABD)

PNE-EN IEC 61643-341  PROY

Estado: Tramitación

Componentes para protección contra sobretensiones de baja tensión. Parte 341: Requisitos de funcionamiento y circuitos de ensayo para pararrayos con tiristores (TSS)

CTN 201/SC 37AB PARARRAYOS. COORDINACÓN DE AISLAMIENTO EN BAJA TENSIÓN

DIN IEC 60747-3:1992-04  DIN

Estado: Withdrawn / 2021-01

Semiconductor devices; discrete devices; part 3: signal diodes and regulator diodes; identical with IEC 60747-3:1985

DIN EN 60747-3:2010-11  DIN

Estado: Withdrawn / 2020-09

Semiconductor devices - Part 3: Signal (including switching diodes) and regulator diodes (IEC 47E/395/CD:2010) / Note: Date of issue 2010-11-08

DIN EN 150006:1996-11  DIN

Estado: Withdrawn / 2017-06

Blank detail specification - Variable capacitance diodes; German version EN 150006:1991

DIN EN 150015:1996-11  DIN

Estado: Withdrawn / 2017-06

Blank detail specification - Unidirectional transient overvoltage suppressor diodes; German version EN 150015:1992

DIN EN 150014:1996-09  DIN

Estado: Withdrawn / 2017-06

Blank detail specification: Thyristor diodes, transient overvoltage suppressor; German version EN 150014:1996

DIN EN 150013:1996-11  DIN

Estado: Withdrawn / 2017-06

Blank detail specification - Current regulator and current reference diodes; German version EN 150013:1991

DIN EN 150001:1996-11  DIN

Estado: Withdrawn / 2017-06

Blank detail specification - General purpose semiconductor diodes; German version EN 150001:1991

DIN IEC 47(CO)1041:1989-01  DIN

Estado: Withdrawn / 2014-04

Semiconductor devices; measuring method of transition time for snap-off- diodes; identical with IEC 47(Central Office)1041

DIN IEC 47(CO)1251:1992-05  DIN

Estado: Withdrawn / 2014-04

Semiconductor devices; measuring method of the excess carrier effective life time of diodes for fast switching applications; identical with IEC 47(Central Office)1251

DIN IEC 47(CO)982:1986-02  DIN

Estado: Withdrawn / 2014-04

Semiconductor devices and integrated circuits, rectifier diodes and thyristors, additional mechanical ratings; identical with IEC 47(Central Office)982

DIN IEC 47(CO)1075:1988-11  DIN

Estado: Withdrawn / 2014-04

Semiconductor devices; measuring methods for recovered charge of rectifier diodes and thyristors; identical with IEC 47(Central Office)1075

DIN IEC 60747-4:2005-01  DIN

Estado: Withdrawn / 2014-02

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors (IEC 47E/265/CD:2004)

DIN IEC 47(CO)1181:1991-01  DIN

Estado: Withdrawn / 2012-04

Semiconductor devices - Measuring methods for avalanche and controlled-avalanche rectifier diodes; Identical with IEC 47(Central Office)1181

DIN IEC 47(CO)1074:1989-05  DIN

Estado: Withdrawn / 2012-04

Semiconductor devices - Measuring methods for forward recovery time of rectifier diodes and signal diodes; Identical with IEC 47(Central Office)1074

DIN IEC 60747-3-1:1991-11  DIN

Estado: Withdrawn / 2012-02

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 3: Signal diodes and regulator diodes; Section one: Blank detail specification: Signal diodes, switching diodes and controlled-avalanche diodes; Identical with IEC 60747-3-1:1986

DIN 45930-1017:1983-10;CECC 50005:1983-10  DIN

Estado: Withdrawn / 2012-02

Harmonized system of quality assessment for electronic components; Blank detail specification: Voltage regulator diodes and voltage reference diodes

DIN IEC 60747-3-2:1992-04  DIN

Estado: Withdrawn / 2012-02

Semiconductor devices - Part 3: Signal diodes and regulator diodes; Section two: Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage reference diodes; Identical with IEC 60747-3-2:1986

DIN IEC 60747-2:1989-08  DIN

Estado: Withdrawn / 2011-02

Semiconductor devices; discrete devices and integrated circuits; rectifier diodes; identical with IEC 60747-2:1983

DIN IEC 47E/81/CDV:1997-06  DIN

Estado: Withdrawn / 2011-02

Amendment to IEC 60747-2:1983 (IEC 47E/81/CDV:1997)

DIN IEC 47(CO)1279:1992-08  DIN

Estado: Withdrawn / 2011-01

Semiconductor devices; blank detail specification for rectifier diodes for currents greater than 100 A; identical with IEC 47(Central Office)1279 / Note: Applies in conjunction with IEC 60747-10 (1991-04), IEC 60747-11 (1985).

DIN IEC 47(CO)1191:1991-10  DIN

Estado: Withdrawn / 2011-01

Semiconductor devices; measuring methods for threshold voltage and resistance of Gunn diodes; identical with IEC 47(Central Office)1191

Número de resultados: 105

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