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Número de resultados: 359

UNE-EN IEC 60749-18:2019  UNE

Estado: Vigente / 2019-07-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 18: Radiación ionizante (dosis total) (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en julio de 2019.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60191-4:2014/A1:2018  UNE

Estado: Vigente / 2018-06-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: Sistema de codificación y clasificación para los tipos y formas de los encapsulados de dispositivos semiconductores. (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en junio de 2018.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN IEC 60749-26:2018  UNE

Estado: Vigente / 2018-05-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 26: Ensayo de la sensibilidad a la descarga electrostática (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM) (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en mayo de 2018.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN IEC 60191-1:2018  UNE

Estado: Vigente / 2018-05-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 1: Requisitos generales para la preparación de esquemas de dispositivos discretos. (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en mayo de 2018.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN IEC 60749-13:2018  UNE

Estado: Vigente / 2018-05-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 13: Atmósfera salina. (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en mayo de 2018.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN IEC 60749-12:2018  UNE

Estado: Vigente / 2018-04-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 12: Vibraciones, frecuencias variables. (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en abril de 2018.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-43:2017  UNE

Estado: Vigente / 2017-10-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 43: Directrices para los planes de cualificación de fiabilidad de circuitos integrados (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en octubre de 2017.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-5:2017  UNE

Estado: Vigente / 2017-08-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 5: Ensayo continuo de duración de vida bajo temperatura y humedad con polarización. (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en agosto de 2017.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-28:2017  UNE

Estado: Vigente / 2017-08-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 28: Ensayo de la sensibilidad a la descarga electrostática. Modelo de dispositivo cargado- Nivel de dispositivo. (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en agosto de 2017.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-9:2017  UNE

Estado: Vigente / 2017-07-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 9: Permanencia del marcado. (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en julio de 2017.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-6:2017  UNE

Estado: Vigente / 2017-07-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura. (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en julio de 2017.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-4:2017  UNE

Estado: Vigente / 2017-07-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 4: Ensayo continuo fuertemente acelerado de esfuerzo de calor húmedo (HAST). (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en julio de 2017.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-3:2017  UNE

Estado: Vigente / 2017-07-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 3: Examen visual externo. (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en julio de 2017.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60191-6-13:2016  UNE

Estado: Vigente / 2017-01-01

Normalización mecánica de dispositivos de semiconductores. Parte 6-13: Guía de diseño para la apertura en la parte superior tipo socket de FBGA y FLGA (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en enero de 2017.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-44:2016  UNE

Estado: Vigente / 2016-12-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 44: Método de ensayo por efecto de evento único (SEE) mediante haz de neutrones irradiados para dispositivos semiconductores. (Ratificada por AENOR en diciembre de 2016.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 62779-1:2016  UNE

Estado: Vigente / 2016-07-01

Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicación con el cuerpo humano. Parte 1: Requisitos generales (Ratificada por AENOR en julio de 2016.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 62779-2:2016  UNE

Estado: Vigente / 2016-07-01

Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicación con el cuerpo humano. Parte 2: Caracterización del funcionamiento de la interfaz (Ratificada por AENOR en julio de 2016.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 62779-3:2016  UNE

Estado: Vigente / 2016-07-01

Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicación con el cuerpo humano. Parte 3: Tipo funcional y sus condiciones de funcionamiento. (Ratificada por AENOR en julio de 2016.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 62007-1:2015  UNE

Estado: Vigente / 2015-08-01

Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones en sistemas de fibra óptica. Parte 1: Plantillas de especificación para características y valores esenciales. (Ratificada por AENOR en agosto de 2015.)

CTN 212/SC 86 FIBRAS OPTICAS

UNE-EN 60747-5-5:2011/A1:2015  UNE

Estado: Vigente / 2015-05-01

Dispositivos discretos de semiconductores y circuitos integrados. Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos. Fotoacopladores. (Ratificada por AENOR en mayo de 2015.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE 21302-521:2004  UNE

Estado: Vigente / 2015-01-23

Vocabulario electrotécnico. Parte 521: Dispositivos semiconductores y circuitos integrados.

CTN 191/SC 5 TERMINOLOGÍA ELÉCTRICA

UNE-EN 60749-42:2014  UNE

Estado: Vigente / 2014-11-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 42: Almacenamiento en temperatura y humedad (Ratificada por AENOR en noviembre de 2014.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-26:2014  UNE

Estado: Vigente / 2014-07-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 26: Ensayo de la sensibilidad a la descarga electrostática (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM) (Ratificada por AENOR en julio de 2014.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60191-4:2014  UNE

Estado: Vigente / 2014-05-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: Sistema de codificación y clasificación para los tipos y formas de los encapsulados de dispositivos semiconductores. (Ratificada por AENOR en mayo de 2014.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60191-6-22:2013  UNE

Estado: Vigente / 2013-04-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-22: Reglas generales para la preparación de los diseños de los paquetes de dispositivos semiconductores de montaje en superficie. Guía de diseño para paquetes de semiconductores de matriz de rejilla de bolas de paso fino de silicio y matriz de rejilla de tierra de paso fino de silicio (S-FBGA y S-FLGA). (Ratificada por AENOR en abril de 2013.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-27:2006/A1:2012  UNE

Estado: Vigente / 2013-01-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 27: Ensayo de la sensibilidad de la descarga electrostática. Modelo máquina (HBM) (Ratificada por AENOR en enero de 2013.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-20:2009  UNE

Estado: Vigente / 2012-07-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 20: Resistencia de los dispositivos de montaje superficial (SMD) encapsulados en plástico al efecto combinado de humedad y de calor de soldadura. (Ratificada por AENOR en julio de 2012.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-23:2005/A1:2011  UNE

Estado: Vigente / 2011-12-21

Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida de funcionamiento a alta temperatura.

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-30:2005/A1:2011  UNE

Estado: Vigente / 2011-12-21

Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 30: Preacondicionamiento de dispositivos de montaje superficial no herméticos antes de su ensayo de fiabilidad.

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-7:2011  UNE

Estado: Vigente / 2011-12-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 7: Medición del contenido de humedad interna y análisis de otros gases residuales. (Ratificada por AENOR en diciembre de 2011.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-40:2011  UNE

Estado: Vigente / 2011-11-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 40: Método de ensayo de caída al nivel de la plataforma mediante la utilización de galgas extensométricas (Ratificada por AENOR en noviembre de 2011.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60191-6-12:2011  UNE

Estado: Vigente / 2011-11-01

Normalización mecánica de dispositivos de semiconductores. Parte 6-12: Reglas generales para la preparación de los diseños de los paquetes de dispositivos de semiconductores de montaje en superficie. Guía de diseño de rejilla matricial de nodos de paso fino (FLGA). (Ratificada por AENOR en noviembre de 2011.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-29:2011  UNE

Estado: Vigente / 2011-11-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 29: Ensayo de enclavamiento. (Ratificada por AENOR en noviembre de 2011.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-21:2011  UNE

Estado: Vigente / 2011-11-01

Dispositivos semiconductores. Ensayos mecánicos y climáticos. Parte 21: Soldabilidad. (Ratificada por AENOR en noviembre de 2011.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60191-6-17:2011  UNE

Estado: Vigente / 2011-09-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-17: Reglas generales para la preparación de los diseños de los paquetes de dispositivos semiconductores de montaje en superficie. Guía de diseño para paquetes en pila. Matriz de rejilla de bola de paso fino y matriz de rejilla de nodo de paso fino (P-PFBGA and P-PFLGA) (Ratificada por AENOR en septiembre de 2011.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-34:2011  UNE

Estado: Vigente / 2011-07-20

Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 34: Ciclo de potencia.

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-15:2011  UNE

Estado: Vigente / 2011-07-13

Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 15: Resistencia a la temperatura de soldadura para dispositivos montados con agujeros pasantes.

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60191-6-21:2010  UNE

Estado: Vigente / 2011-02-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-21: Reglas generales para la preparación de los diseños de los paquetes de dispositivos semiconductores de montaje en superficie. Métodos de medida para dimensiones de paquetes pequeños (SOP). (Ratificada por AENOR en febrero de 2011.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60191-6-20:2010  UNE

Estado: Vigente / 2011-02-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-20: Reglas generales para la preparación de los diseños de los paquetes de dispositivos semiconductores de montaje en superficie. Métodos de medida para dimensiones de paquetes pequeños con salidas en J. (Ratificada por AENOR en febrero de 2011.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-19:2003/A1:2011  UNE

Estado: Vigente / 2011-01-19

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 19: Resistencia de la pastilla al cizallamiento.

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-32:2004/A1:2011  UNE

Estado: Vigente / 2011-01-19

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 32: Inflamabilidad de dispositivos con encapsulado plástico (provocada externamente).

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 62418:2010  UNE

Estado: Vigente / 2010-10-01

Dispositivos semiconductores. Ensayo de esfuerzos para metalización en vacio (Ratificada por AENOR en octubre de 2010.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 62415:2010  UNE

Estado: Vigente / 2010-09-01

Dispositivos de semiconductores. Ensayo de electromigración de intensidad constante. (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 62417:2010  UNE

Estado: Vigente / 2010-09-01

Dispositivos semiconductores. Ensayos de iones móviles para transistores de semiconductores de óxido metálico de efecto de campo (MOSFET) (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60191-6-19:2010  UNE

Estado: Vigente / 2010-09-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-19: Métodos de medida de deformación (warpage) de paquete a temperatura elevada y la deformación (warpage) máxima permisible (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 62416:2010  UNE

Estado: Vigente / 2010-09-01

Dispositivos de semiconductores. Ensayo de portadora caliente en transistores MOS (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60191-6-18:2010  UNE

Estado: Vigente / 2010-05-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-18: Reglas generales para la preparación de los diseños de los paquetes de dispositivos semiconductores de montaje en superficie. Guía de diseño de rejilla matricial de bolas (BGA). (Ratificada por AENOR en mayo de 2010.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60191-6:2009  UNE

Estado: Vigente / 2010-04-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6: Reglas generales para la preparación de los diseños de los paquetes de dispositivos semiconductores de montaje en superficie. (Ratificada por AENOR en abril de 2010.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 60749-20-1:2009  UNE

Estado: Vigente / 2009-09-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 20-1: Manejo, empaquetado, etiquetado y transporte de los dispositivos con montaje en superficie que son sensibles a los efectos combinados de la humedad y al calentamiento de soldado. (Ratificada por AENOR en septiembre de 2009.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 62007-2:2009  UNE

Estado: Vigente / 2009-06-01

Dispositivos optoelectrónicos de semiconductores para aplicaciones en sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición. (Ratificada por AENOR en junio de 2009.)

CTN 212/SC 86 FIBRAS OPTICAS

Número de resultados: 359

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