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Normas IEC internacionales electrotécnicas - AENOR
IEC 62276:2016

IEC 62276:2016

Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications - Specifications and measuring methods

Tranches monocristallines pour applications utilisant des dispositifs à ondes acoustiques de surface (OAS) - Spécifications et méthodes de mesure

Fecha:
2016-10-24 /Vigente
Resumen (inglés):
IEC 62276:2016 applies to the manufacture of synthetic quartz, lithium niobate (LN), lithium tantalate (LT), lithium tetraborate (LBO), and lanthanum gallium silicate (LGS) single crystal wafers intended for use as substrates in the manufacture of surface acoustic wave (SAW) filters and resonators. This edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition:
- Corrections of Euler angle indications in Table 1 and axis directions in Figure 3.
- Definition of "twin" is not explained clearly enough in 3.3.3. Therefore it is revised by a more detailed definition.
- Etch channels maximum number at quartz wafer of seed which do not pass through from surface to back surface are classified for three grades in 4.2.13 a). Users use seed portions of quartz wafers for devices. They request quartz wafers with less etch channels in seeds to reduce defects of devices. The classification of etch channels in seed may prompt a rise in quartz wafer quality.
Resumen (francés):
L'IEC 62276:2016 s'applique à la fabrication de tranches monocristallines de quartz synthétique, de niobate de lithium (LN), de tantalate de lithium (LT), de tétraborate de lithium (LBO) et de silicate de gallium et de lanthane (LGS) destinées à être utilisées comme substrats dans la fabrication de résonateurs et de filtres à ondes acoustiques de surface (OAS).
La présente édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l'édition précédente:
- Corrections des indications de l'angle d'Euler au Tableau 1 et des directions des axes à la Figure 3.
- La définition de "cristal jumeau" n'était pas expliquée de manière suffisamment claire en 3.3.3. Elle a été révisée par une définition plus détaillée.
- Le nombre maximal de canaux de gravure dans un germe de tranche de quartz qui ne traverse pas de la surface avant à la surface arrière est déterminé pour trois classes en 4.2.13 a). Les utilisateurs utilisent des parties de germes de tranches de quartz pour les dispositifs. Ces tranches de quartz nécessitent moins de canaux de gravure dans un germe pour réduire les défauts dans les dispositifs. La classification des canaux de gravure dans un germe peut nécessiter une augmentation de la qualité des tranches de quartz.
191,02
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