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Normas IEC internacionales electrotécnicas - AENOR
IEC 62047-25:2016

IEC 62047-25:2016

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 25: Silicon based MEMS fabrication technology - Measurement method of pull-press and shearing strength of micro bonding area

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs microélectromécaniques - Partie 25: Technologie de fabrication de MEMS à base de silicium - Méthode de mesure de la résistance à la traction-compression et au cisaillement d'une micro zone de brasure

Fecha:
2016-08-29 /Vigente
Resumen (inglés):
IEC 62047-25:2016 specifies the in-situ testing method to measure the bonding strength of micro bonding area which is fabricated by micromachining technologies used in silicon-based micro-electromechanical system (MEMS). This document is applicable to the in-situ pull-press and shearing strength measurement of the micro bonding area fabricated by microelectronic technology process and other micromachining technology.
Resumen (francés):
L'IEC 62047-25:2016 spécifie la méthode d'essai in situ pour mesurer la résistance de brasure d'une microzone de brasure fabriquée par des technologies de micro-usinage utilisées dans un système microélectromécanique (MEMS) à base de silicium. Le présent document s'applique à la mesure in situ de la résistance à la traction-compression et de la résistance au cisaillement d'une microzone de brasure fabriquée par un processus microélectronique et d'autres technologies de micro-usinage.
135,11
Idioma Formato

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