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Normas DIN – AENOR
DIN 50449-2:1996-02

DIN 50449-2:1996-02

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of impurity content in semiconductors by infrared absorption - Part 2: Boron in gallium arsenide

Essai des matériaux pour la technologie semi-conducteurs - Détermination de la teneur en impureté dans des semi-conducteurs au moyen de l'absorption par infrarouge - Partie 2: Le bore dans l'arséniure de gallium

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung des Verunreinigungsgehaltes in III-V-Verbindungshalbleitern mittels Infrarotabsorption - Teil 2: Bor in Galliumarsenid

Fecha Anulación:
1998-01 /Withdrawn
Relación con otras normas DIN:

Reemplazada por: DIN 50449-2:1998-01

Resumen:
This document covers the determination of the boron content in gallium arsenide by infrared absorption. It applies to monocrystal, semi-isolating GaAs-specimen.
Das Dokument dient der Bestimmung des Borgehaltes in Galliumarsenid mittels Infrarotabsorption. Es in anwendbar für einkristalline, halbisolierende GaAs-Proben.
Keywords:
Absorption, Boron, Chemical analysis and testing, Definitions, Determination of content, Electrical measurement, Galluim arsenide, Impurities, Infrared absorption, Infrared spectrometry, Materials, Materials testing, Measuring techniques, Semiconductor compounds, Semiconductor devices, Semiconductor engineering, Semiconductor technology, Semiconductors, Testing
29,35
Idioma Formato

Formato digital

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