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Normas DIN – AENOR
DIN 50438-3:1999-08

DIN 50438-3:1999-08

Testing of materials for use in semiconductor technology - Determination of impurity content of silicon by infrared absorption - Part 3: Boron and phosphorus

Essai des materiaux pour la technologie des semi-conducteurs - Détermination de la teneur en impureté dans le silicium par spectrométrie d'absorption à infrarouge - Partie 3: Bore et phosphore

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung des Verunreinigungsgehaltes in Silicium mittels Infrarot-Absorption - Teil 3: Bor und Phosphor

Fecha Anulación:
2010-12 /Withdrawn
Relación con otras normas DIN:

Reemplazada por: DIN 50438-3:2000-12

Resumen:
The document specifies a method for the determination of electrical active boron and phosphorous contents in monocrystalline siliccon by infrared absorption. The integral absorption of the elctronic transitions, can be abserved at low temperatures at wave numbers between 240 cm<(hoch)-1> and 330 cm<(hoch)-1>, is a measure of the impurity content. The method is applicable to imurity concentrations between the detection limit of the infrared spectrometer usually 10<(hoch)10> cm<(hoch)-3> to 10<(hoch)11> cm<(hoch)-3> and aout 1 x 10<(hoch)16> cm<(hoch)-3>. Plane-parellel or slightly wedgeshaped monocrystalline silicon wafers with a thickness of 0,3 mm to 10 mm and polished or etched sufaces are used.
Das Dokument legt ein Verfahren zur Bestimmung des elektrisch aktiven Bor- und Phosphor-Gehaltes in einkristallinen Silicium mittels Infrarotabsorption fest. Als Maß für den Verunreinigungsgehalt dient die intergrale Absorption der bei tiefen Temperaturen beobachtbaren elektronischen Übergänge im Wellenzahlbereich zwischen 240 cm<(hoch)-1> und 330 cm<(hoch)-1>. Das Verfahren gilt für Verunreinigungskonzentrationen zwischen der Nachweisgrenze des verwendeten Infrarotspektrometers üblicherweise: 10<(hoch)10> cm<(hoch)-3> bis 10<(hoch)11> cm<(hoch)-3> und etwa 1 x 10<(hoch)16> cm<(hoch)-3>. Verwendet werden planparallele oder leicht keilig präparierte einkristalline Silicium-Scheiben mit Dicken zwischen 0,3 mm und 10 mm mit polierten oder geäzten Oberflächen.
Keywords:
Absorption, Absorption coefficient, Absorption (waves), Basis lines, Boron, Definitions, Determination procedures, Impurities, Infra-red, Infrared absorption, Materials, Phosphorus, Semiconductor engineering, Semiconductor materials, Semiconductor technology, Silicon, Testing
47,94
Idioma Formato

Formato digital

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