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Normas DIN – AENOR
DIN EN 62047-16:2012-11

DIN EN 62047-16:2012-11

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods (IEC 47F/125/CD:2012) / Note: Date of issue 2012-11-12

/ Attention: Date de parution 2012-11-12

Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 16: Messverfahren zur Ermittlung der Eigenspannungen in Dünnschichten von MEMS-Bauteilen - Substratkrümmungs- und Biegebalken-Verfahren (IEC 47F/125/CD:2012) / Achtung: Erscheinungsdatum 2012-11-12

Fecha Anulación:
2015-12 /Withdrawn
Equivalencias internacionales:

IEC 47F/125/CD (2012-07)

Relación con otras normas DIN:

Reemplazada por: DIN EN 62047-16:2015-12

Resumen:
This part of IEC 62047 specifies the test methods to measure the residual stresses of thin films in MEMS by wafer curvature and cantilever beam deflection methods. The films should be deposited onto a substrate of known mechanical properties of Young's modulus and Poisson's ratio.
In diesem Teil der IEC 62047 sind die Messverfahren festgelegt, um die Eigenspannungen dünner Schichten (Schichtspannungen) von MEMS-Bauteilen mithilfe des Substratkrümmungs- (Waferkrümmungs-) oder des Biegebalken- (Cantilever-) Verfahrens zu ermitteln. Die Dünnschichten sollten auf einem Substrat abgeschieden sein, von dem die mechanischen Eigenschaften Elastizitätsmodul (Young-Modul) und Querkontraktionszahl (Poissonzahl) bekannt sind.
Keywords:
Components, Compounds, Connections, Definitions, Electrical engineering, Electronic equipment and components, Materials, Measurement, Measuring techniques, Microelectronics, Microsystem techniques, Properties, Residual stresses, Semiconductor devices, Specification (approval), Surface treatment, System engineering, Testing, Thin films, Visual inspection (testing), Wafers
58,5
Idioma Formato

Formato digital

Nota: Precios sin IVA ni gastos de envío

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