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Normas DIN – AENOR
DIN EN 62417:2010-12

DIN EN 62417:2010-12

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) (IEC 62417:2010); German version EN 62417:2010

Dispositifs à semiconducteurs - Essais d´ions mobiles pour transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET) (CEI 62417:2010); Version allemande EN 62417:2010

Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010

Fecha:
2010-12 /Active
Equivalencias internacionales:

EN 62417 (2010-05)

IEC 62417 (2010-04)

Relación con otras normas DIN:

Reemplaza a: DIN IEC 62417:2007-08

Resumen:
This document provides wafer level test procedures to determine the amount of positive mobile charge in oxide layers in metal-oxide semiconductor field effect transistors. It is applicable to both active and parasitic field effect transistors. Two test methods are described in this document: Bias temperature stress (BTS) and Voltage sweep (VS).
In diesem Dokument sind Prüfverfahren festgelegt, um den Betrag positiver mobiler Ionen in Oxidschichten von Metall-Oxid-Halbleiter Feld-Effekt-Transistoren auf Waferniveau zu bestimmen. Es ist sowohl auf aktive als auch auf parasitäre Feld-Effekt-Transistoren anwendbar. Es sind zwei Prüfverfahren festgelegt: Spannungs-Temperatur-Beanspruchung (BTS; en: bias temperature stress) und Spannungs-Durchlauf (VS; en: voltage sweep).
Keywords:
Coatings, Degradation, Electrical engineering, Electronic equipment and components, Ionization, Measurement, Measuring techniques, Migration, Migration (chemical), MOSFET, Oxides, Rise, Semiconductor devices, Silicon, Stress, Temperature, Temperature rise, Testing, Testing conditions, Threshold voltage, Transistors, Wafers
53,93
Idioma Formato

Formato digital

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